rss 推荐阅读 wap

浩瀚新闻网 _新闻热点事件_每日头条新闻_今日新闻

热门关键词:  自驾游  xxx  as  请输入关键词  test
首页 浩瀚新闻 热点追踪 投资理财 休闲旅游 都市情感 财经消费 城市资讯 今日在线 商业营销 微商联盟

2020年半导体十大热点大事件:美国打压中国逆境前行

发布时间:2021-01-14 02:59:31 已有: 人阅读

  魔幻的2020年终于走完,期待已久的2021年如期而至。回顾2020,疫情深刻地影响了全球半导体产业的发展,更加剧了国际形势的复杂变迁,自主可控、贸易保护主义、去全球化成为关注焦点;与此同时,政策和资本持续加持,线上办公/教育、新能源汽车等新兴应用落地开花。在2021年到来之际,《集微网》特推出【2020-2021年度专题】,围绕热点话题、热门技术和应用、重大事件等度梳理,为上下游企业提供参考镜鉴。

  2020年整整一年,一场新冠疫情打乱了整个世界的节奏,然而,如此百年不遇的黑天鹅事件也没有动摇美国打压中国半导体产业的节奏。就集微网梳理全年的热点事件来看,2020年半导体热点新闻,多数都是围绕着美国打压中国半导体、中国半导体产业逆境前行展开。可以说,今年是美国对中国半导体实施限制最疯狂的一年,也是中国半导体最艰难,却也充满希望的一年。

  以下按照事件热度和时间顺序进行盘点(注:由于集微网已经单独做过一篇2020年半导体并购案盘点,故热点事件盘点将并购案除去在外。)

  2月24日,为了应对网络攻击及其他国际威胁,美国及日本等42个加入《瓦森纳协定》的国家,决定将扩大出口管制范围,目的是加强防备相关技术与软件转为军事用途及网络攻击,防止技术外流到中国及朝鲜等地。

  过去该协定出口限制的对象,以常规武器及部分机床等为主,此次报道指出,管制对象新追加了可转为军用的半导体基板制造技术及被用于网络攻击的军用软件等。据分析此举旨在防止技术外流到中国及朝鲜等。日本政府计划今后加强产品及相关技术的出口手续,新管制对象也包括日本厂商擅长的领域,部分企业或受到影响。

  集微点评:长江存储是国内唯一一家有能力制造NAND的芯片厂,可以说是国内存储业的希望。现在它正在加紧追赶国际对手,不过面对三星、Kioxia等强有力的竞争对手,“全村的希望”担子很重。

  据披露,该晶圆厂将采用台积电的5纳米制程技术生产半导体芯片,规划月产能为20000片晶圆,将直接创造超过1600个高科技专业工作机会,并间接创造半导体产业生态系统中上千个工作机会。该晶圆厂将于2021年动工,于2024年开始量产。2021年至2029年,台积电于此项目上的支出(包括资本支出)约120亿美元。

  集微点评:台积电在美建厂主要是为了获得美国的资金、政策支持。台积电董事长刘德音也在公开场合表示,该计划绝对符合公司利益,最大利益是取得美国客户信任,及找到全球最顶尖科技人才。

  6月份,ARM以存在未披露的违规行为为由,宣布免去安谋中国董事长兼CEO吴雄昂的相关职务。然而事实上,吴雄昂仍实际控制安谋中国。双方就此发布多份回应拉扯。

  7月28日,安谋中国团队发布公开信表示,厚朴投资及ARM英国的部分董事于近期派人频繁接触安谋中国的客户、威胁修改或取消现有合同,并威胁骚扰中国团队员工。

  此后一天,ARM英国总部再发声明,称安谋中国于6月4日的董事会合法、有效的罢免了吴雄昂CEO的职务。但吴雄昂拒不执行董事会决议,拒交公司公章,并散播虚假信息,给安谋中国公司内部造成了恐惧和困扰。

  集微点评:业界认为ARM中国换帅风波的背后可能与美国针对华为的禁令有关。ARM虽是英国企业,但与美国有大量生意往来。让事情变得一团糟的可能原因是,美国可能对ARM施加压力,要求其剪断与中国合资企业的关系。

  6月23日,苹果宣布将放弃在所有Mac电脑上使用英特尔的芯片,改用自主设计开发的芯片,并表示这一过渡将使苹果的笔记本电脑和台式机的处理速度变得更快。

  苹果公司称,未来的Mac电脑将会使用该公司自主设计的芯片。之前,苹果在Mac笔记本电脑和台式机上使用英特尔芯片。库克表示,这是一个“巨大的飞跃”。苹果称其在专门为Mac电脑设计自己的芯片,以便在降低功耗的同时提供更高的性能。

  目前,苹果公司已经在其iPhone、iPad、AppleWatch和AppleTV等产品上使用自己的芯片,并表示到目前为止已经出货了超过20亿个芯片。另外,搭载苹果自有芯片的Mac电脑也将可以运行iPhone和iPad软件。

  集微点评:苹果首款MacSoC将采用台积电5纳米制程进行生产,预估此款SoC成本将低于100美元,更具成本竞争优势。

  8月4日,国务院发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》,政策从财税、投融资、IPO、研究开发、进出口等多角度对半导体产业的发展提供政策支持,利好我国半导体材料行业发展。

  其中关于企业所得税减免的主要内容包括:1、国家鼓励的集成电路线纳米(含),且经营期在15年以上的集成电路生产企业或项目,第一年至第十年免征企业所得税。

  测试企业和软件企业,自获利年度起,第一年至第二年免征企业所得税,第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税。

  海思,台积电的先进工艺显然是会损失一部分市场;然而海思没有台积电,却陷入了“巧妇难为无米之炊”的困境,线、美国对华为新禁令生效

  日经中文网报导,英国调查公司Omdia估计,日本、韩国与中国供应商每年为华为供应零组件交易额约264亿美元,如果华为的生产受阻,上述业务将面临困境。

  集微点评:持续多年的联电案终于尘埃落定。业内人士分析,依照此前相似案件的判决案例对比,赔偿金额大约就落在这个数字。另外,因为晋华被美国制裁后并没有生产相关涉案产品,因此也就没有损害金额的部分。此外,这个金额大约是晋华当时与联电共同开发的数字,因此就整个结果来说算是符合业界的期待。

  总结:即将过去的一年,可以说中国半导体在美国的打压政策下负重前行。随着美国大选的尘埃落定,中国半导体的境遇是否会有所好转?国内对此多持悲观论调。与此相对应,全国自上而下已经形成了坚定的共识:与其寄希望于美国方面的政策施舍,不如练好内功、提高半导体国产自给率与竞争力。这是中国半导体突破当前困境的关键所在,更是中国经济实现更高层级发展的迫切需求。

  随着半导体产业在经济发展中所扮演的角色愈发重要,全国各地对于引进半导体项目的热情空前高涨。近年来,虽....

  苏州市人民政府与华为技术有限公司举行了全面战略合作协议签约仪式,双方将围绕“一基地、四总部、六中心”....

  《工业级SiC MOSFET的栅极氧化层可靠性——偏压温度不稳定性(BTI)》 在正常使用器件时,由....

  近日,山东高校毕业生就业信息网、济南市济阳区人力资源和社会保障局等渠道发布了济南富能半导体有限公司的....

  碳化硅(SiC)即使在高达1400℃的温度下,仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体....

  PDF Solutions是为全球半导体和电子行业提供差异化数据和分析解决方案的领先供应商,于202....

  近日,浙江监管局和广东监管局分别披露了杭州国芯科技股份有限公司(以下简称“国芯科技”)以及广东希荻微....

  近年来,数据量呈爆发式增长催生了新的存储方式——云存储,早些年前,我国云存储以个人云发展为主,后期受....

  根据外电报导,处理器大厂英特尔目前正在跟全球两大半导体公司台积电与三星讨论处理器外包生产的事项,引起....

  过去的一年,对于“三十而立”的A股来讲注定是不平凡的一年,美股熔断,A股总体平稳,茅台市值超过“宇宙....

  中国,2021年1月12日——全球领先的高性能传感器解决方案供应商艾迈斯半导体(ams AG,瑞士股....

  当下的半导体界,最值钱的非晶圆代工产能莫属了。而作为行业龙头,台积电的产能,特别是先进制程的,几乎呈....

  苹果芯片合作伙伴台积电将在2021年与整个芯片代工行业一起实现增长,Counterpoint Res....

  自2020年Q3起,晶圆缺货已延续三季,功率半导体、模拟芯片、逻辑存储等半导体器件,涨声一片!进....

  苹果芯片合作伙伴台积电将在2021年与整个芯片代工行业一起实现增长,Counterpoint Res....

  作为最高精尖科技的代表性领域,芯片、半导体产业的发展水平,如今已经上升到各国国家战略的高度。

  2019年开始,RISC-V得到了越来越多的重视,原因有很多,ARM授权费高是关键的因素,下面就来说....

  随着半导体产业在经济发展中所扮演的角色愈发重要,全国各地对于引进半导体项目的热情空前高涨。近年来,虽....

  由于疫情的蔓延、全球经济景气周期、叠加大国之间的关系降到冰点等因素,过去的魔幻2020年不管是对于个....

  岁末年初,多家半导体大厂发布涨价通知函,带来的直接利好是半导体厂商业绩提升。作为最高精尖科技的代表性....

  众所周知,随着科技的不断发展,如今我们对半导体芯片的依赖程度正在不断的加深,作为现代科技领域发展的核....

  2020年,半导体行业可以说是风云变幻的一年。在新冠肺炎疫情的冲击下,市场先抑后扬,从一度悲观预测的....

  据记者获悉,杭州国芯科技股份有限公司(下称“杭州国芯”)拟前往科创板IPO,中信证券任其辅导机构,辅....

  随着信息技术不断发展,国内信息化建设规模不断扩大,因此,市场对存储的需求不断增长。在技术、经验不断积....

  光电探测器(PDs)是现代通信与传感系统的关键元件,利用光电或光热等效应将光信号转化为电信号....

  光刻对准技术由最初的明场和暗场对准发展到后来的干涉全息或外差干涉全息对准、混合匹配、由粗略到精细....

  31 岁的杨怡豪,负笈南洋求学之后,带着博后期间的“颠覆级”成果,毅然选择回到母校浙江大学工....

  一年股价上涨60%的三星电子,市值突破5700亿美元,紧追台积电,三季度再创史上最高613亿美元季度....

  所谓前端存储,是在网络视频监控系统的前端设备(如网络视频编码器或网络摄像机)中内置存储部件,由前端设....

  2021中国IC风云榜“年度最佳中国市场表现奖”征集现已启动!入围标准要求为年销售额超过3亿元的半导....

  随着国外IGBT产品供应不足,交期一再拉长,国内客户除了下全款订单等待产品的同时,也正在逐步接受国产....

  2021中国IC风云榜“年度最具成长潜力奖”征集现已启动!入围标准要求为营收500万-1亿元的未上市....

  2020年的疫情大流行逼迫我们在家办公,使我们了解到数据连接中数字连接以及计算,内存和网络的重要....

  近年来,半导体产业链国产化需求迫切,加快发展半导体产业以及提升产业链国产化比重已上升为国家战略。....

  【编者按】2021中国IC风云榜“年度最佳技术突破奖”征集现已启动!入围标准深耕半导体某一细分领....

  据外媒Seeking Alpha消息,Betaville上个月曾在PSTG上进行过推测,猜测Pure....

  通过在与晶体管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)....

  1月6日消息,闻泰科技发布公告称,该公司公开发行可转换公司债券申请获得中国证监会受理。 闻泰科技....

  2021开年才几天时间,就已经有多家半导体公司宣布成功融资的消息,对于这些企业来说,可谓是给新的一年....

  MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型,本文就结构构造、特点、实用电....

  ARM Cortex系列处理器――Cortex-A ARM Cortex系列处理器——Cortex-M ARM Cortex系列处理器——Cortex-R ...

  集微网消息,1月10日,据上海证监局披露,海通证券发布了关于上海芯龙半导体技术股份有限公司(以下简称....

  2020年12月17日百云智峰会在北京中国大饭店举行,探讨在产业智能化大潮正席卷而来时,企业如何....

  过去几年因为缺货涨价,让大家认识到了被动元器件MLCC。遥想2016年,国巨涨价数倍,村田减半供应,....

  日经报道指出,近日,美国最大半导体制造设备厂商应用材料公司(Applied Materials)发布....

  汽车生产所需要的半导体不足问题越来越严重。原因是半导体是汽车取得电动化进展不可或缺的零部件,但由于智....

  未来,AI技术必将渗透到各个行业和应用中,它让我们对未来充满想象。对于新领域、新技术的探索总是充满了....

  芯片供应短缺的波及面正在扩大,如今已经从消费电子蔓延到了汽车领域。刚从疫情中缓过劲,正在回暖的汽车行....

  1.ARM中一些常见英文缩写解释MSB:最高有效位;LSB:最低有效位;AHB:先进的高性能总线;VPB:连接片内外设功...

  ARM Cortex-M4 指令列表 ARM Cortex-M4 支持的指令在下表 1~8 中列出。 表 1 16 位数据操作指令 &...

  CAN总线协议 USB通信协议 基于ARM Cortex3的低功耗无源USB-CAN透明传输的实现 ...

  iSCSI Target 可以轻松管理iSCSI服务,iSCSI Target 是一个网络磁盘空间,可以被iSCSI 服务器或NAS 存储设...

  ARM应用软件的开发工具根据功能的不同,分别有编译软件、汇编软件、链接软件、调试软件、嵌入式实时操作系统、函数库、评估...

  LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz

  低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...

  TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...

  TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

  TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...

  LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...

  TPS3840系列电压或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V< V IT - ≤3.1V= 100mV(典...

  INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

  INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish

  一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...

  LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线针TSSOP封装 XOR-tree测试模式

  Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...

  LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度

  针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入

  用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...

  AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

  AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...

  OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV

  PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...

  TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...

  DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...

  TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

  这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...

  LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

  TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) < 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2

  LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...

  LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...

  LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV

  共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号

  严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...

  LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...

首页 | 浩瀚新闻 | 热点追踪 | 投资理财 | 休闲旅游 | 都市情感 | 财经消费 | 城市资讯 | 今日在线 | 商业营销 |免责声明

Copyright2008-2022 浩瀚新闻网 www.hnshizhiyuan.com 版权所有 业务QQ:17468920 Power by DedeCms 京ICP备18045899号-17

电脑版 | wap